Радиатор биметаллический Germanium Bm 500/06
- Главная
- Продукты
- Приборы отопления
- Секционные радиаторы
- Биметаллические
- Радиатор биметаллический Germanium Bm 500/06
Характеристики
Артикул | German.![]() |
Теплоотдача, Вт (∆t 70) | 960 |
Количество секций, шт | 6 |
Межосевое расстояние, мм | 500 |
Максимальное рабочее давление, бар | 25 |
Тип радиатора | Биметаллический секционный |
Конструкция радиатора | Настенная |
Материал радиатора | Биметаллический |
Подключение | Боковое универсальное |
Модельный ряд | Germanium BM |
Максимальная рабочая температура, ℃ | 110°C |
Опрессовочное давление, бар | 37.![]() |
Объем теплоносителя, л | 1.32 |
Цвет | Белый |
Ширина одной секции, мм | 80 |
Цвет подробно | RAL9016 Traffic white Дорожный белый |
Назад к списку
Радиаторы отопления Germanium в Старом Осколе: 500-товаров: бесплатная доставка, скидка-50% [перейти]
Партнерская программаПомощь
Старый Оскол
Каталог
Каталог Товаров
Одежда и обувь
Одежда и обувь
Стройматериалы
Стройматериалы
Текстиль и кожа
Текстиль и кожа
Здоровье и красота
Здоровье и красота
Детские товары
Детские товары
Продукты и напитки
Продукты и напитки
Электротехника
Электротехника
Дом и сад
Дом и сад
Мебель и интерьер
Мебель и интерьер
Сельское хозяйство
Сельское хозяйство
Промышленность
Промышленность
Все категории
ВходИзбранное
Биметаллический радиатор GERMANIUM 350 8 секций Число секций: 8 элементов, Межосевое расстояние:
ПОДРОБНЕЕ
Биметаллический радиатор GERMANIUM NEO 500 1 секция Число секций: 1 элементов, Межосевое
ПОДРОБНЕЕ
Биметаллический радиатор GERMANIUM NEO BM 350 1 секция Число секций: 1 элементов, Межосевое
ПОДРОБНЕЕ
Радиатор алюминиевый Germanium Al 500 Тип: секционный, Бренд: Germanium, Материал: алюминий
ПОДРОБНЕЕ
Биметаллический радиатор GERMANIUM NEO 500 4 секции Число секций: 4 элементов, Межосевое
ПОДРОБНЕЕ
Алюминиевый радиатор GERMANIUM AL 500 1 секция Число секций: 1 элементов, Межосевое расстояние: 500
ПОДРОБНЕЕ
Алюминиевый радиатор GERMANIUM NEO AL 500 1 секция Число секций: 1 элементов, Межосевое расстояние:
ПОДРОБНЕЕ
Радиатор биметалл, 500х80 мм, Tropic, 4 секции, 7601. 016 Материал: биметалл, Бренд: Tropic, Страна
В МАГАЗИН
Радиатор биметалл, 500х80 мм, Tropic, 6 секций, 7601.026 Материал: биметалл, Бренд: Tropic, Страна
В МАГАЗИН
22 960
Arbonia 3100/05 N69 твв RAL 9016 радиатор отопления
В МАГАЗИН
62 980
Arbonia 3100/22 N69 твв RAL 9016 радиатор отопления
В МАГАЗИН
27 995
IRSAP TESI 21800/06 радиатор отопления
В МАГАЗИН
45 030
Arbonia 3250/05 N69 твв RAL 9016 радиатор отопления
В МАГАЗИН
76 280
Arbonia 3090/29 N69 твв RAL 9016 радиатор отопления
В МАГАЗИН
70 040
Arbonia 3100/25 N69 твв RAL 9016 радиатор отопления
В МАГАЗИН
57 700
IRSAP TESI 30365/22 №25 (RR303652201A425N01) радиатор отопления
В МАГАЗИН
91 230
Arbonia 3100/34 N69 твв RAL 9016 радиатор отопления
В МАГАЗИН
37 080
Arbonia 3100/11 N69 твв RAL 9016 радиатор отопления
В МАГАЗИН
102 590
Arbonia 3060/47 N69 твв RAL 9016 радиатор отопления
В МАГАЗИН
52 020
Arbonia 3060/21 N69 твв RAL 9016 радиатор отопления
В МАГАЗИН
neoнастенные neoсекционные neo40 370
Arbonia 3090/13 N69 твв RAL 9016 радиатор отопления
В МАГАЗИН
101 670
Arbonia 3280/12 N69 твв RAL 9016 радиатор отопления
В МАГАЗИН
94 610
Arbonia 3075/40 N69 твв RAL 9016 радиатор отопления
В МАГАЗИН
27 660
Arbonia 3100/07 N69 твв RAL 9016 радиатор отопления
В МАГАЗИН
53 580
Arbonia 3200/08 N69 твв RAL 9016 радиатор отопления
В МАГАЗИН
67 580
Arbonia 3060/29 N69 твв RAL 9016 радиатор отопления
В МАГАЗИН
82 310
Arbonia 3120/23 N69 твв RAL 9016 радиатор отопления
В МАГАЗИН
65 330
Arbonia 3100/23 N69 твв RAL 9016 радиатор отопления
В МАГАЗИН
2 страница из 18
Радиаторы отопления Germanium
Интегрированный ТГц импульсный излучатель на основе германия с кремниевым фотопроводящим переключателем, связанным с оптическим волноводом
. 2019 31 мая; 10 (6): 367.
дои: 10.3390/ми10060367.
Пейю Чен 1 , Мостафа Хоссейни 2 , Айдын Бабахани 3
Принадлежности
- 1 Факультет электротехники и вычислительной техники, Университет Райса, Хьюстон, Техас 77005, США. [email protected].
- 2 Факультет электротехники и вычислительной техники, Калифорнийский университет в Лос-Анджелесе, Лос-Анджелес, Калифорния , США. [email protected].
- 3 Факультет электротехники и вычислительной техники, Калифорнийский университет в Лос-Анджелесе, Лос-Анджелес, Калифорния , США.
[email protected].
- PMID: 31159233
- PMCID: PMC6631917
- DOI: 10.3390/ми10060367
Бесплатная статья ЧВК
Пейю Чен и др. Микромашины (Базель). .
Бесплатная статья ЧВК
. 2019 31 мая; 10 (6): 367.
дои: 10.3390/ми10060367.
Авторы
Пейю Чен 1 , Мостафа Хоссейни 2 , Айдын Бабахани 3
Принадлежности
- 1 Факультет электротехники и вычислительной техники, Университет Райса, Хьюстон, Техас 77005, США.
[email protected].
- 2 Факультет электротехники и вычислительной техники, Калифорнийский университет в Лос-Анджелесе, Лос-Анджелес, Калифорния , США. [email protected].
- 3 Факультет электротехники и вычислительной техники, Калифорнийский университет в Лос-Анджелесе, Лос-Анджелес, Калифорния , США. [email protected].
- PMID: 31159233
- PMCID: PMC6631917
- DOI: 10.3390/ми10060367
Абстрактный
В этой статье представлен интегрированный терагерцовый импульсный излучатель на основе германия (Ge) с фотопроводящим переключателем, связанным с оптическим волноводом, в недорогом процессе кремний-на-изоляторе (КНИ). Этот процесс позволяет получить тонкую пленку Ge, которая используется в качестве фотопроводящего материала. Чтобы генерировать короткие терагерцовые импульсы, к тонкой пленке Ge добавляют имплантат N++, чтобы сократить время жизни фотоносителя до субпикосекунды для более быстрой переходной характеристики. Антенна-бабочка спроектирована и подключена к фоторезистору для излучения. Для повышения эффективности излучения к подложке чипа прикреплена кремниевая линза. Эта конструкция имеет «горизонтальный» механизм связи с оптическим волноводом между оптическим сигналом возбуждения и фотопроводящим переключателем. Прототип терагерцового излучателя работает с фемтосекундными лазерами с длиной волны 1550 нм. Излучаемые ТГц импульсы достигают полной ширины на полувысоте (FWHM) 1,14 пс и ширины полосы 1,5 ТГц. Средняя излучаемая мощность составляет 0,337 мкВт. По сравнению с обычными терагерцовыми фотопроводящими антеннами (ФТА) эта конструкция имеет ряд преимуществ: во-первых, в ней используется технология на основе кремния, что снижает стоимость изготовления; во-вторых, длина волны возбуждения 1550 нм, на которой работают различные недорогие лазерные источники; и в-третьих, в этой конструкции монолитный механизм возбуждения между возбуждающим лазером и фотопроводящим переключателем обеспечивает встроенное программируемое управление сигналами возбуждения для управления терагерцовым лучом.
Ключевые слова: германий; интегрированная оптика; оптоэлектроника; фотопроводимость; кремниевая фотоника; терагерц.
Заявление о конфликте интересов
Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов.
Цифры
Рисунок 1
Обычная фотопроводящая антенна ТГц…
Рисунок 1
Обычный излучатель THz фотопроводящей антенны (PCA).
Рисунок 1Обычный излучатель ТГц фотопроводящей антенны (PCA).
Рисунок 2
Концептуальная иллюстрация…
Рисунок 2
Концептуальная иллюстрация предлагаемой схемы возбуждения оптического волновода.
Концептуальная иллюстрация предложенной схемы возбуждения оптического волновода.
Рисунок 3
Конструкция предлагаемого волновода-муфты…
Рисунок 3
Структура предлагаемого волноводно-связного ТГц фотопроводящего переключателя.
Рисунок 3Структура предлагаемого волноводно-связного ТГц фоторезистора.
Рисунок 4
( a ) Имитация оптического…
Рисунок 4
( a ) Моделирование оптического поглощения на длине волны 1550 нм в пределах предлагаемого фотопроводящего…
Рисунок 4 ( a ) Моделирование оптического поглощения на длине волны 1550 нм в предлагаемом фотопроводящем переключателе. ( b ) Моделирование распределения оптических мод с длиной волны 1550 нм на различных расстояниях распространения в предлагаемом фотопроводящем переключателе.
Рисунок 5
Микрофотография прототипа ТГц…
Рисунок 5
Микрофотография прототипа микросхемы ТГц импульсного излучателя и корпуса микросхемы.
Рисунок 5Микрофотография прототипа микросхемы ТГц импульсного излучателя и корпуса микросхемы.
Рисунок 6
Измерительная установка для прототипа…
Рисунок 6
Измерительная установка для прототипа микросхемы импульсного излучателя ТГц.
Измерительная установка для прототипа чипа импульсного излучателя ТГц.
Рисунок 7
( a ) Измеренная временная область…
Рисунок 7
( a ) Измеренная форма сигнала во временной области излучаемого ТГц импульса. ( б…
Рисунок 7( a ) Измеренная форма сигнала во временной области излучаемого ТГц импульса. ( b ) Измеренный частотный спектр излучаемого ТГц импульса.
Рисунок 8
Измеренное влияние напряжения смещения…
Рисунок 8
Измеренное влияние напряжения смещения на излучаемый ТГц импульс. ( и )…
Измеренное влияние напряжения смещения на излучаемый ТГц импульс. ( a ) Влияние на пиковую амплитуду излучаемого ТГц импульса. ( b ) Влияние на полосу SNR > 1 излучаемого ТГц импульса. ( c ) Влияние на среднюю излучаемую мощность.
См. это изображение и информацию об авторских правах в PMC
Похожие статьи
Обзор терагерцовых технологий, ускоренных Silicon Photonics.
Се Дж., Е В., Чжоу Л., Го С., Цзан С., Чен Л., Чжу Ю. Се Дж. и др. Наноматериалы (Базель). 2021 23 июня; 11 (7): 1646. дои: 10.3390/нано11071646. Наноматериалы (Базель). 2021. PMID: 34201551 Бесплатная статья ЧВК. Обзор.
Терагерцовый фотопроводящий волноводный излучатель с возбуждением наклонным фронтом оптического импульса.
Ислам К.У., Мэн Ф., Томсон М.Д., Роскос Х.Г. Ислам Ку и др. Выбрать Экспресс. 2020 26 октября; 28 (22): 33673-33681. doi: 10.1364/OE.403161. Выбрать Экспресс. 2020. PMID: 33115026
Полоса пропускания до 70 ТГц от имплантированной германиевой фотопроводящей антенны, возбуждаемой фемтосекундным Er:волоконным лазером.
Сингх А., Пашкин А., Виннерл С., Уэлш М., Бекх С., Зульцер П., Лейтенсторфер А., Хелм М., Шнайдер Х. Сингх А. и др. Легкие научные приложения. 2020 3 марта; 9:30. doi: 10.1038/s41377-020-0265-4. Электронная коллекция 2020. Легкие научные приложения. 2020. PMID: 32140221 Бесплатная статья ЧВК.
Характеристики антенных структур типа «бабочка» для полуизолирующих GaAs и InP фотопроводящих терагерцовых излучателей.
Альфихед С., Фоулдс И.Г., Хольцман Дж.Ф. Альфихед С. и др. Датчики (Базель). 2021 30 апреля; 21 (9): 3131. дои: 10.3390/s21093131. Датчики (Базель). 2021. PMID: 33946393 Бесплатная статья ЧВК.
Интенсивная терагерцовая генерация фотопроводящими антеннами.
Исгандаров Э., Ропаньол Х., Сингх М., Одзаки Т. Искендеров Э. и соавт. Передний оптоэлектрон. 2021 март; 14(1):64-93. doi: 10.1007/s12200-020-1081-4. Epub 2021 5 января. Передний оптоэлектрон. 2021. PMID: 36637784 Бесплатная статья ЧВК. Обзор.
Посмотреть все похожие статьи
Цитируется
Оптимизация размера пикселя и структуры электродов для Ge:Ga терагерцовых фотопроводящих детекторов.
У И, Дун З, Чен И, Ван Б, Ван Л, Дай Х, Чжан Дж, Ван Х. У Ю и др. Датчики (Базель). 2022 1 марта; 22 (5): 1916. дои: 10.3390/s22051916. Датчики (Базель). 2022. PMID: 35271063 Бесплатная статья ЧВК.
Обзор терагерцовых технологий, ускоренных Silicon Photonics.
Се Дж., Е В., Чжоу Л., Го С., Цзан С., Чен Л., Чжу Ю. Се Дж. и др. Наноматериалы (Базель). 2021 23 июня; 11 (7): 1646. doi: 10.3390/nano11071646. Наноматериалы (Базель). 2021. PMID: 34201551 Бесплатная статья ЧВК. Обзор.
Фотонные логические кубиты при комнатной температуре через нелинейности второго порядка.
Крастанов С., Хеук М., Шапиро Дж. Х., Наранг П., Инглунд Д.
Р., Джейкобс К. Крастанов С. и соавт. Нац коммун. 2021 Янв 8;12(1):191. doi: 10.1038/s41467-020-20417-4. Нац коммун. 2021. PMID: 33420052 Бесплатная статья ЧВК.
Редакционная статья для специального выпуска Silicon Photonics Bloom.
Чжао К., Бойраз О. Чжао Кью и др. Микромашины (Базель). 2020 10 июля; 11 (7): 670. дои: 10.3390/ми11070670. Микромашины (Базель). 2020. PMID: 32664197 Бесплатная статья ЧВК.
Рекомендации
- Сигел П.Х. Терагерцовые технологии в биологии и медицине. IEEE транс. Микров. Теория Тех. 2004; 52: 2438–2447. doi: 10.1109/TMTT.2004.835916. — DOI
- Сигел П.
Х. Терагерцовая технология. IEEE транс. Микров. Теория Тех. 2002;50:910–928. дои: 10.1109/22.989974. — DOI
- Сигел П.
- Аггравал Х., Чен П., Ассефзаде М.М., Джамали Б., Бабахани А. Унесенные за пикосекунду: методы генерации и обнаружения пикосекундных импульсов и их применение. IEEE Микров. Маг. 2016;17:24–38. дои: 10.1109/МММ.2016.2608764. — DOI
- Лю Л., Цзян З., Рахман С., Шамс М.И.Б., Цзин Б., Каннегулла А., Ченг Л.Дж. Квазиоптические терагерцовые микрофлюидные устройства для химического зондирования и визуализации.
Микромашины. 2016;7:75. дои: 10.3390/ми7050075. — DOI — ЧВК — пабмед
- Лю Л., Цзян З., Рахман С., Шамс М.И.Б., Цзин Б., Каннегулла А., Ченг Л.Дж. Квазиоптические терагерцовые микрофлюидные устройства для химического зондирования и визуализации.
- Альфихед С., Берген М.Х., Чокойу А., Хольцман Дж.Ф., Фулдс И.Г. Характеристика и интеграция терагерцовой технологии в микрожидкостные платформы. Микромашины. 2018;9:453. дои: 10.3390/ми90
- . — DOI — ЧВК — пабмед
[PDF] Интегрированный терагерцовый импульсный излучатель на основе германия с кремниевым фотопроводящим переключателем, связанным с оптическим волноводом
- title={Интегрированный ТГц импульсный излучатель на основе германия с кремниевым фотопроводящим переключателем, связанным с оптическим волноводом},
автор = {Пейю Чен, Мостафа Хоссейни и Айдын Бабахани},
журнал={Микромашины},
год = {2019},
громкость={10}
}
- Пейю Чен, М.
Хоссейни, А. Бабахани
- Опубликовано 31 мая 2019 г.
- Физика
- Микромашины
в недорогом процессе кремний-на-изоляторе (КНИ). Этот процесс позволяет получить тонкую пленку Ge, которая используется в качестве фотопроводящего материала. Чтобы генерировать короткие терагерцовые импульсы, к тонкой пленке Ge добавляют имплантат N++, чтобы сократить время жизни фотоносителя до субпикосекунды для более быстрой переходной характеристики. Антенна-бабочка спроектирована и подключена к фотопроводящему переключателю…
Кремний-плазмонный графеновый субтерагерцовый излучатель со встроенной антенной
- Zhibin Jiang, Yilun Wang, Xinliang Zhang
Physics
APL Photonics
- 9021 Photonics -смешение с его преимуществами сверхширокой полосы пропускания и точная настройка стала важным методом генерации терагерцовых (ТГц) волн. В последнее время графеновые фотодетекторы…
Бессмещенный GeSn терагерцовый эмиттер большой площади на подложке Si
В последние десятилетия терагерцовые (ТГц) излучатели большой площади (LAE) использовались для широкополосной генерации ТГц.
Для достижения широкополосной работы сверхбыстрый фотопроводник ТГц ЛАЭ в основном основан на…
Интегрированные в волновод фотопроводящие ТГц приемники
- М. Доймер, С. Неллен, Б. Глобиш
Физика
2022 47-я Международная конференция по ИК , миллиметровые и терагерцовые волны (IRMMW-THz)
- 2022
Мы представляем первые интегрированные в волновод фотопроводящие антенны (ФПА) для непрерывного (непрерывного) терагерцового (ТГц) обнаружения. PCA, состоящие из фотопроводящей мезы InGaAs и антенны-бабочки…
Обзор терагерцовых технологий, ускоренных с помощью кремниевой фотоники
- Jingya Xie, Wangcheng Ye, Yiming Zhu
Physics
20103 3 3
Представлен обзор последних достижений в области ТГц-технологий на основе кремниевой фотоники или гибридной кремниевой фотоники, включая генерацию ТГц, обнаружение, фазовую модуляцию, модуляцию интенсивности и пассивные компоненты.
Полностью интегрированный когерентный детектор диапазона 20–500 ГГц с разрешением по частоте 2 Гц
В этом документе представлен когерентный детектор на основе частотной гребенки без генератора со встроенной антенной для датчиков и изображений в миллиметровом и терагерцовом диапазонах. частот и имеет самую широкую полосу пропускания среди когерентных приемников.
Безлазерный пикосекундный импульсный передатчик 4 Гбит/с с широкополосной встроенной антенной
- M. Hosseini, A. Babakhani
Physics
2020 45-я Международная конференция по инфракрасным, миллиметровым и терагерцовым волнам (IRMMW-THz)
- 2020
дальняя беспроводная связь. Пикосекундные импульсы с полной шириной на полувысоте (FWHM) 2,5 пс…
Оптимизация размера пикселя и структуры электродов для Ge:Ga терагерцовых фотопроводящих детекторов
- Yifei Wu, Zuoru Dong, Xiaodong Wang
Физика, материаловедение
Датчики
- 2022
Исследование влияния размеров пикселей и структуры электродов на характеристики терагерцовых (ТГц) фотопроводящих детекторов на основе Ge, вертикальной структуры Ge:Ga детекторы с разные…
Фотонные логические кубиты при комнатной температуре через нелинейности второго порядка
- Стефан Красстанов, М.
Хеук, Дж. Шапиро, П. Наранг, Д. Энглунд, К. Джейкобс
Физика
Связь с природой
- 2021
Всеунитарный подход, основанный на трехрезонаторном резонаторе с нестационарным приводом, существенно упрощающий реализацию различных квантовых схем, в частности, исправления ошибок предлагается.
Фотонные логические кубиты при комнатной температуре через нелинейности второго порядка
- Стефан Красстанов, М. Хеук, Дж. Шапиро, П. Наранг, Д. Энглунд, К. Джейкобс
Физика
Nature Communications
- 2021
Недавний прогресс в области нелинейно-оптических материалов и микрорезонаторов сделал возможными квантовые вычисления с объемными оптическими нелинейностями. Эта платформа представляет большой интерес,…
Редакция специального выпуска Silicon Photonics Bloom
- Qiancheng Zhao, O.
Boyraz
Physics
Micromachines
- 2020 20031
- C.
Berry, M. Jarrahi
Физика
- 2012
- М. Ассефзаде, Пейю Чен, А. Бабахани
Физика
2016 41-я Международная конференция по инфракрасным, миллиметровым и терагерцовым волнам (IRMMW-THz)
- 2016
[…].
Интегрированная ТГц фотопроводящая антенна на основе германия с оптической волноводной связью в кремнии
Интегрированная фотопроводящая ТГц антенна на основе германия с оптической волноводной связью в недорогом КНИ представлена с потенциалом для управления терагерцовым лучом. Излучаемые ТГц импульсы…
Широкополосная ТГц спектроскопическая визуализация на основе полностью интегрированной излучающей матрицы 4×2 Digital-to-Impulse с полным спектром 0,03–1,03 ТГц в кремнии
В этой статье представлен широкополосный спектроскопический формирователь изображения с гребенчатым частотным диапазоном терагерцового диапазона, основанный на полностью интегрированной излучающей матрице 4×2 пикосекунды с прямым цифро-импульсным преобразованием (D2I). Используя новый триггерный…
Терагерцовая генерация с использованием плазмонных фотопроводящих решеток
представлены электродные решетки и экспериментально продемонстрировано. Наноразмерная решетка обеспечивает сверхбыструю и высокую квантовую эффективность…
Мощное терагерцовое импульсное излучение с частотой следования ГГц в кремнии
В этой статье сообщается о нескольких методах генерации и излучения пикосекундных импульсов от одного кремниевого чипа. Эти методы не требуют лазера. Они основаны на прямом преобразовании…
Генерация и излучение широкополосных ТГц импульсов без генератора на основе архитектуры прямого преобразования цифро-импульса Полная ширина в пс на половине максимума и 130 ГГц, 3 дБ…
Импульсный излучатель с реконфигурируемой амплитудой 4 пс с методом характеризации THz-TDS в 0,13 мкм SiGe BiCMOS
В этом документе описывается полностью интегрированный импульсный излучатель с возможностью излучения импульсов с 4ps FWHM и реконфигурируемая амплитуда.
Пиковая излучаемая мощность на частоте 54 ГГц составляет 8,7 дБм при 13,6 дБм…
Метод нелинейной модуляции добротности для излучения пикосекундных импульсов в кремнии
В этой статье представлен метод нелинейного импеданса модуляции добротности (NLQSI) для излучения пикосекундных импульсов в кремнии. Прототип чипа разработан с четырьмя каналами генерации импульсов на основе NLQSI,…
ТГц активные системы визуализации с возможностями реального времени
последние несколько лет с целью изучения их потенциала для…
Импульсный излучатель 30 ГГц со встроенными антеннами для создания трехмерных изображений с высоким разрешением
В этом документе описывается импульсный излучатель 30 ГГц, в котором используется асимметричный генератор с перекрестной связью и регулированием напряжения (ГУН) с синхронизацией инжекции и встроенной дугой.
- Пейю Чен, М.