Зао диэлектрик: Контакты — ЗАО Диэлектрик

Содержание

ЗАО «Диэлектрик» в категории Электротехнические материалы

Email: [email protected]

Телефон: (343)328-27-03

Местонахождение: Екатеринбург, Свердловская обл., Россия

Описание: Образованное в 1989г. как Производственно Технический Кооператив, ЗАО «Диэлектрик» в настоящее время стал одним из крупнейших производителей Электроизоляционных Материалов (ЭИМ) на территории РФ и ближнего зарубежья. Все ресурсы компании направлены на разработку и производство новых ЭИМ, с повышенными диэлектрическими и технологическими свойствами.
1992 году ПТК «Диэлектрик», преобразован в ЗАО «Диэлектрик».
Мы стремимся использовать накопленный опыт ведущих мировых производителей изоляционных материалов для достижения наилучших результатов. Нас в первую очередь заботит качество выпускаемой нами продукции, и мы делаем все возможное для его повышения. Главная задача руководства предприятия – создать предприятие, соответствующее мировым стандартам и способное конкурировать не только на рынке России, но и на Западных рынках.

1997-2000 года Наращивание производственных мощностей, отработка технологий производства ЭИМ, опробование и внедрение новых ЭИМ на заводах-потребителях.
2002 Разработка новых ЭИМ. Работающих по классу Н (до 180 ° С) на основе полиэтиленнафталатных плёнок производства компании DuPont
Предприятие располагает хорошо оснащенными электрофизической и аналитической лабораториями. В 2003 г. Испытательная лаборатория ЗАО «Диэлектрик» была аккредитована и сертифицирована Госстандартом России на проведение испытаний электроизоляционных материалов практически по всему спектру показателей. В настоящее время проводится работа по сертификации системы качества предприятия в соответствии со стандартом ГОСТ ИСО 9001:2000.
2005 году открыто представительство ЗАО «Диэлектрик» в г. Екатеринбурге.
Электроизоляционные материалы, производимые нашей компанией, применяются для производства и ремонта:
турбо-, гидрогенераторов и высоковольтных электрических машин
тяговых электродвигателей электровозов, тепловозов, транспорта на электрической тяге и двигателей постоянного тока.
низковольтных электрических машин.

ЗАО «ДИЭЛЕКТРИК» — ОГРН 1126686021813

ЗАКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО «ДИЭЛЕКТРИК»

Ликвидировано, 5 лет назад
ОГРН1126686021813
ИНН6686018296
КПП668601001
Код ОПФ12267 (Непубличные акционерные общества)
Дата регистрации4 декабря 2012 года
РегистраторИнспекция Федеральной налоговой службы по Верх-Исетскому району г. Екатеринбурга
Дата прекращения деятельности29 мая 2017 года
ЛиквидацияПрекращение деятельности юридического лица путем реорганизации в форме преобразования
Регистрационный номер075033104511
Дата регистрации7 декабря 2012 года
Территориальный органУправление Пенсионного фонда Российской Федерации Управление ПФР по Орджоникидзевскому району г. Екатеринбурга
Регистрационный номер661331523466131
Дата регистрации7 декабря 2012 года
Территориальный органФилиал №13 Государственного учреждения — Свердловское региональное отделение Фонда социального страхования Российской Федерации

Финансовые показатели ЗАО «ДИЭЛЕКТРИК» согласно данным ФНС и Росстата за 2014–2021 годы.

 

Баланс (актив)

 

Выручка

 

Чистая прибыль
Полный финансовый отчет
23.43Производство керамических изоляторов и изолирующей арматуры      Основной   
23.19.7Производство электрических изоляторов из стекла
23.20Производство огнеупорных изделий
27.90Производство прочего электрического оборудования
41.20Строительство жилых и нежилых зданий
46.76Торговля оптовая прочими промежуточными продуктами
Показать еще 5 записей
46.90Торговля оптовая неспециализированная
47.19Торговля розничная прочая в неспециализированных магазинах
52.29Деятельность вспомогательная прочая, связанная с перевозками
72.19Научные исследования и разработки в области естественных и технических наук прочие
82.99Деятельность по предоставлению прочих вспомогательных услуг для бизнеса, не включенная в другие группировки
1.Директор Самедов Самедулла Ахадович
ИНН: 667007647556
Является руководителем еще 2 компаний и учредителем этой и еще 2 компаний.

Связей с индивидуальными предпринимателями не найдено.

Компания ЗАО «ДИЭЛЕКТРИК», полное наименование: ЗАКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО «ДИЭЛЕКТРИК», зарегистрирована 4 декабря 2012 года, регистратор: Инспекция Федеральной налоговой службы по Верх-Исетскому району г.Екатеринбурга. Юридическому лицу были присвоены ОГРН 1126686021813 и ИНН 6686018296. Основной вид деятельности: «Производство керамических изоляторов и изолирующей арматуры», дополнительные виды деятельности: «Производство электрических изоляторов из стекла», «Производство огнеупорных изделий», «Производство прочего электрического оборудования». Юридический адрес компании «ДИЭЛЕКТРИК»: 620017, Свердловская область, г. Екатеринбург, ул. Шефская, 2А, офис 3. Директор: Самедулла Ахадович Самедов. Компания прекратила свою деятельность 29 мая 2017 года.

Предыдущие записи ЕГРЮЛ по «ДИЭЛЕКТРИК», ЗАО смотрите в полной выписке
1. 17 декабря 2012 года Представление сведений о регистрации юридического лица в качестве страхователя в исполнительном органе Фонда социального страхования Российской Федерации
Межрайонная инспекция Федеральной налоговой службы №32 по Свердловской области
2. 28 августа 2013 года Представление сведений о выдаче или замене документов, удостоверяющих личность гражданина Российской Федерации на территории Российской Федерации
Межрайонная инспекция Федеральной налоговой службы №32 по Свердловской области Список предоставленных документов:
     • СВЕДЕНИЯ ОБ ИЗМЕНЕНИИ ПАСПОРТНЫХ ДАННЫХ ФИЗИЧЕСКОГО ЛИЦА, ПРЕДСТАВЛЕННЫЕ ОРГАНАМИ, ОСУЩЕСТВЛЯЮЩИМИ ВЫДАЧУ И ЗАМЕНУ ДОКУМЕНТОВ, УДОСТОВЕРЯЮЩИХ ЛИЧНОСТЬ ГРАЖДАНИНА РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ НА ТЕРРИТОРИИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
3. 17 февраля 2017 года Начало процедуры реорганизации юридического лица в форме преобразования
Инспекция Федеральной налоговой службы по Верх-Исетскому району г. Екатеринбурга Список предоставленных документов:
     • Р12003 УВЕДОМЛЕНИЕ О НАЧАЛЕ ПРОЦЕДУРЫ РЕОРГАНИЗАЦИИ
     • РЕШЕНИЕ О РЕОРГАНИЗАЦИИ ЮЛ
     • ДОВЕРЕННОСТЬ (НОТАРИАЛЬНАЯ КОПИЯ), ПРЕДСТАВИТЕЛЬ:ЮНИЦЫНА Е. А.
4. 29 мая 2017 года Прекращение юридического лица ЗАО «ДИЭЛЕКТРИК» путем реорганизации в форме преобразования
Инспекция Федеральной налоговой службы по Верх-Исетскому району г. Екатеринбурга Список предоставленных документов:
     • Р12001 ЗАЯВЛЕНИЕ О СОЗДАНИИ ЮЛ ПРИ РЕОРГАНИЗАЦИИ
     • РЕШЕНИЕ О РЕОРГАНИЗАЦИИ ЮЛ
     • ПЕРЕДАТОЧНЫЙ АКТ
     • ГАРАНТИЙНОЕ ПИСЬМО С ПРИЛОЖЕНИЕМ
     • ДОВЕРЕННОСТЬ ЮНИЦЫНА Е. Ю. НОТАРИАЛЬНАЯ КОПИЯ
     • УСТАВ ЮЛ
     • ДОКУМЕНТ ОБ ОПЛАТЕ ГОСУДАРСТВЕННОЙ ПОШЛИНЫ
5. 29 мая 2017 года Представление сведений об учете юридического лица в налоговом органе
Инспекция Федеральной налоговой службы по Верх-Исетскому району г. Екатеринбурга

Данные по ЗАО «ДИЭЛЕКТРИК» собраны из открытых источников и носят исключительно ознакомительный характер. Вся публикуемая на портале информация является открытой и общедоступной в соответствии с п. 1 ст. 6 129-ФЗ от 08.08.2001 «О государственной регистрации юридических лиц и индивидуальных предпринимателей» и 149-ФЗ от 27.07.2006 «Об информации, информационных технологиях и защите информации».

При копировании материалов ссылка на vembo.ru обязательна.

Физики из России и Германии теоретически показали, что под действием ультракоротких лазерных импульсов моттовский диэлектрик может перейти в проводящее состояние.

26 марта 2018 года

Компании GLOBALFOUNDRIES и Fuzhou Rockchip Electronics заявили о том, что мобильные процессоры Rockchip следующего поколения начали серийно выпускаться с использованием 28-нм производственной технологии High-K Metal Gate (металлические затворы и диэлектрики с высоким значением диэлектрической проницаемости).

19 июня 2013 года

Свойства диэлектриков позволяют распознавать участки бумаги, покрытые чернилами. Разработанная учеными система смогла верно определить буквы, написанные на девяти верхних листах из стопки. Исследователи считают, что изобретение может послужить археологам и историкам.

9 сентября 2016 года

ООО «ДИЭЛЕКТРИК», г. Хотьково, ИНН 5042145938, контакты, реквизиты, финансовая отчётность и выписка из ЕГРЮЛ

Руководитель ООО «ДИЭЛЕКТРИК» также является руководителем или учредителем 5 других организаций

ООО «ДИЭЛЕКТРИК ТРАНСПОРТ»
141371, Московская область, г. Сергиев Посад, г. Хотьково, ул. Заводская, д. 21, стр. 1
Перевозка грузов неспециализированными автотранспортными средствами
Прохоров Александр Владимирович
ООО «НИИЦЭИМ»
141371, Московская область, Сергиево-Посадский район, г. Хотьково, ул. Заводская, д. 21, стр. 3
Сертификация продукции, услуг и организаций
Прохоров Александр Владимирович
ООО «ДИЭЛЕКТРИК С°»
141371, Московская область, Сергиево-Посадский район, г. Хотьково, ул. Заводская, д. 21, корп. 2
Производство красок, лаков и аналогичных материалов для нанесения покрытий, полиграфических красок и мастик
Прохоров Александр Владимирович
+ ещё 2

Учредители ООО «ДИЭЛЕКТРИК» также являются руководителями или учредителями 5 других организаций

ООО «ДИЭЛЕКТРИК ТРАНСПОРТ»
141371, Московская область, г. Сергиев Посад, г. Хотьково, ул. Заводская, д. 21, стр. 1
Перевозка грузов неспециализированными автотранспортными средствами
Прохоров Александр Владимирович
ООО «НИИЦЭИМ»
141371, Московская область, Сергиево-Посадский район, г. Хотьково, ул. Заводская, д. 21, стр. 3
Сертификация продукции, услуг и организаций
Прохоров Александр Владимирович
ООО «ДИЭЛЕКТРИК С°»
141371, Московская область, Сергиево-Посадский район, г. Хотьково, ул. Заводская, д. 21, корп. 2
Производство красок, лаков и аналогичных материалов для нанесения покрытий, полиграфических красок и мастик
Прохоров Александр Владимирович
Прохоров Владимир Владимирович
+ ещё 2

ООО «ДИЭЛЕКТРИК» является учредителем 2 организаций

ООО «ДИЭЛЕКТРИК ТРАНСПОРТ»
141371, Московская область, г. Сергиев Посад, г. Хотьково, ул. Заводская, д. 21, стр. 1
Перевозка грузов неспециализированными автотранспортными средствами
ООО «НИИЦЭИМ»
141371, Московская область, Сергиево-Посадский район, г. Хотьково, ул. Заводская, д. 21, стр. 3
Сертификация продукции, услуг и организаций

Слой диэлектрика из оксида циркония-алюминия с высокой диэлектрической проницаемостью и относительно низкой утечкой, полученный методом центрифугирования и применение в тонкопленочных транзисторах

Мацуки Ю.; Фурусава М.; Аоки Т .; Юдасака И.; Танака Х .; Ивасава Х .; Ван Д.; Миясака

М.; Такеучи, Ю. Кремниевые пленки и транзисторы, обработанные раствором. Nature 2006, 440, 783.

21. Янг Чой, Дж.; Ким, С.С.; Ли, С.Ю. Влияние добавления гафния на тонкопленочные транзисторы Zn-Sn-O, изготовленные

методом растворения.заявл. физ. лат. 2012, 100, 022109.

22. Чон, С.; Мун, Дж. Низкотемпературные тонкопленочные транзисторы из оксида металла, обработанные раствором. Дж. Матер. хим.

2012, 22, 1243–1250.

23. Ким Х.; Квак, Ю.Дж.; Юн, Э.Дж.; Чой, В.С. Диэлектрик затвора, обработанный смешанным раствором, для тонкопленочного транзистора на основе оксида цинка-олова

и его МДП-емкость. науч. Rep. 2016, 6, 33576.

24. Li, X.; Чжу, Л.; Гао, Ю.; Чжан, Дж. Тонкопленочные транзисторы с низким рабочим напряжением, обработанные раствором, со структурой

с нижним затвором и верхним контактом.IEEE транс. Электронные устройства 2015, 62, 875–881.

25. Цзян С.; Ян, X .; Чжан, Дж.; Li, X.

Многослойные диэлектрические слои TiO2 и Al2O3, обработанные раствором, для тонкопленочного транзистора с высокой подвижностью

. Аип Пров. 2018, 8, 085109.

26. Ву, В.; Джавид, К.; Лян, Л .; Ю, Дж.; Лян, Ю .; Песня, А .; Яо, М.; Лан, Л.; Cao, H.

Индуцированные водным раствором

Пленки AlO x:Y с высокой диэлектрической проницаемостью для применения в тонкопленочных транзисторах. Дж. Наноски.нанотехнологии. 2018,

18, 7566–7572.

27. Авис, К.; Джанг, Дж. Высокопроизводительный оксидный TFT, обработанный раствором, с диэлектриком затвора из оксида алюминия

, изготовленный золь-гель методом. Дж. Матер. хим. 2011, 21, 10649–10652.

28. Сюй, В.; Ван, Х .; Се, Ф .; Чен, Дж.; Цао, Х .; Xu, J.B.

Простой и экологически чистый диэлектрик из оксида алюминия

, обработанный раствором, для низкотемпературных высокопроизводительных оксидных тонкопленочных транзисторов. Приложение ACS

Матер. Интерфейсы 2015, 7, 5803–5810.

29. Санг Ю.Л.; Чанг, С .; Ли, Дж.-С. Роль изоляторов затвора с высоким k для оксидных тонкопленочных транзисторов. Тонкая твердая пленка.

2010, 518, 3030–3032.

30. Ли, К.-Г.; Додабалапур, А. Высококачественный диэлектрик ZrO

2

, обработанный раствором, и интеграция в тонкопленочные транзисторы

. Дж. Электрон. Матер. 2012, 41, 895–898.

31. Чжан, Дж.; Фу, Х .; Чжоу, С .; Нин, Х .; Ван, Ю.; Го, Д .; Кай, В .; Лян, З .; Яо, Р .; Пэн, Дж. Влияние легирования цирконием

на обработанные раствором тонкие пленки оксида индия, измеренное новым методом неразрушающего контроля

(микроволновое затухание фотопроводимости). Coatings 2019, 9, 426.

32. Скривен, Л. Физика и применение покрытий погружением и центрифугированием. MRS Онлайн Proc. Библиотечная арка. 1988,

121. doi:10.1557/PROC-121-717.

33. Стилвагон, Л.; Ларсон, Р. Выравнивание тонких пленок на неровных подложках во время центрифугирования.физ. Жидкости A

Fluid Dyn. 1990, 2, 1937–1944.

34. Като К.; Сайто, Т .; Шибаяма, С .; Сакашита, М .; Такеучи, В .; Таока, Н.; Накацука, О .; Zaima, S. Стабилизированное

образование тетрагональной ZrO

2

тонкой пленки с высокой диэлектрической проницаемостью. Тонкая твердая пленка. 2014, 557, 192–196.

35. Джой, К.; Берлин, IJ; Прабита, Б.Н.; Лакшми, Дж. С.; Георги, П. Даниэль; Томас, П.В. Влияние температуры отжига

на структурные и фотолюминесцентные свойства нанокристаллических тонких пленок ZrO

2

, полученных золь-гель методом.Дж. Физ. хим. Твердые вещества 2011, 72, 673–677.

36. Бренье Р.; Ганьер, А. Уплотнение и старение пленок ZrO

2

, полученных золь-гель. Тонкая твердая пленка. 2001,

392, 142–148.

37. Гао Ю.; Ли, Х .; Чен, Л.; Ши, Дж.; Солнце, X .; Zhang, J.

Высокомобильный обработанный раствором гафний, индий, цинк

Оксид TFT с легированным алюминием ZrO

2

Затворный диэлектрик. IEEE Electron Device Lett. 2014, 35, 554–556.

38.Ю, Ю.Б.; Парк, Дж.; Ли, К.Х.; Ли, HW; Песня, К.М.; Ли, SJ; Байк, Х.К. Обработанный раствором high-k HfO

2

затворный диэлектрик, обработанный при температуре размягчения полимерных подложек. Дж. Матер. хим. C 2013, 1,

1651–1658.

39. Джаярадж М.К.; Качираил, Дж.; Саджи; К.; Тосио, К.; Хидео, Х. Оптические и электрические свойства тонких пленок аморфного

оксида цинка и олова, исследованных для применения в тонкопленочных транзисторах. Дж. Вак. науч. Технол.Б Микроэлектрон.

Нанометр Структура. Обработать. Изм. Феном. 2008, 26, 495–501.

40. Шан, Ф.; Ю, Ю. Энергия запрещенной зоны чистых и легированных алюминием тонких пленок ZnO. Дж. Евр. Керам. соц. 2004, 24, 1869–

1872.

41. Умебаяси, Т.; Ямаки, Т .; Ито, Х .; Асаи, К. Сужение запрещенной зоны диоксида титана легированием серой.

Заявл. физ. лат. 2002, 81, 454–456.

42. Юнг Ю.; Ян, В .; Ку, CY; Сонгаб, К.; Мун, Дж. Высокопроизводительные и высокостабильные низкотемпературные

тонкопленочные транзисторы ZnO, полученные из водного раствора, совместно легированные Li-Zr.Дж. Матер. хим. 2012, 22, 5390–5397.

43. Ян, В.; Песня, К.; Юнг, Ю.; Чон, С .; Мун, Дж.

Диэлектрики затвора AlOx, легированные цирконием, осажденные из раствора, позволяют

создавать высокопроизводительные гибкие прозрачные тонкопленочные транзисторы. Дж. Матер. хим. C 2013, 1, 4275–4282.

Покрытия | Бесплатный полнотекстовый | Слой диэлектрика из оксида циркония-алюминия с высокой диэлектрической проницаемостью и относительно низкой утечкой, полученный методом центрифугирования и примененный в тонкопленочном транзисторе

1.Введение

В качестве основного элемента тонкопленочные транзисторы (TFT) играют важную роль в дисплеях [1,2,3,4,5], а диэлектрический слой является ключом к электрической стабильности TFT [6,7,8]. ,9]. Благодаря хорошему коэффициенту пропускания, высокой диэлектрической проницаемости и низкотемпературной подготовке диэлектрические слои из аморфного оксида металла привлекли широкое внимание [10,11,12,13]. Вакуумные методы, такие как магнетронное напыление, — обычный процесс получения тонкопленочных оксидов металлов. транзисторы (MOTFT) — столкнулись с трудностями в снижении высокой стоимости оборудования и упрощении сложных производственных процессов [14,15,16,17].Поэтому методы решения широко используются учеными из-за их более простой обработки и меньшей стоимости. Однако обработанные раствором диэлектрические слои имеют проблемы с нестабильными свойствами из-за большого количества органических остатков [18,19,20,21]. Таким образом, с целью улучшить свойства диэлектрических слоев, изготовленных методом центрифугирования, в качестве смешанного диэлектрического слоя был использован метод смешивания, который в сочетании с преимуществами смешанного материала позволяет получить лучшие электрические свойства.Более того, смешанный компонент может решить проблему с поликристаллической структурой и шероховатой поверхностью [22, 23, 24]. Шу Цзян [25] и соавт. принята пятислойная многослойная структура, обработанная раствором, TiO 2 / Al 2 O 3 / TiO 2 / Al 2 O 3 / TiO

9T (обозначена как TATA) в качестве подзатворного диэлектрического слоя ТПТ, что значительно повысило его подвижность благодаря более гладкой поверхности интерфейса диэлектрик-канал и поверхности TiO

2 .В их исследовании были подготовлены более тонкие слои TiO 2 для ослабления кристаллизации и ухудшения морфологии поверхности, а более толстые интерфейсные слои Al 2 O 3 были введены для хороших электрических характеристик. Weihua Wu [26] растворил прекурсоры AlO x и YO x для получения диэлектрического слоя затвора AlO x :Y методом центрифугирования, чтобы уменьшить уменьшение толщины, вызванное многоцикловыми способами центрифугирования. Обладая лучшей плоскостностью поверхности, пленки AlO x :Y демонстрируют конкурентоспособные изоляционные характеристики.В результате IGZO-TFT из AlO x :Y имеет хорошие электрические свойства (ток утечки 8,2 × 10 -8 А/см 2 при 2 МВ/см и диэлектрическая проницаемость 7,4). Как и в примерах, упомянутых выше, оксид алюминия является основным компонентом гибридных диэлектрических слоев, поскольку оксид алюминия обладает преимуществами высокого напряжения пробоя и низкой плотности тока утечки, но низкая диэлектрическая проницаемость ограничивает его применение в TFT [27,28]. . Хотя приведенные выше смешанные диэлектрические слои обладают лучшими электрическими свойствами, они все же имеют проблемы с большим количеством дефектов и низкими диэлектрическими постоянными.Среди различных диэлектрических материалов с высоким k цирконий хорошо известен своей высокой энергией связи, что позволяет уменьшить кислородные дефекты в пленках [29,30]. Поэтому мы намеревались смешать оксид алюминия с диоксидом циркония, чтобы уменьшить дефекты в пленках и улучшить диэлектрическую проницаемость, а кроме того, реализовать оптимальные характеристики диэлектрического слоя.

Таким образом, пленка цирконий-оксид алюминия (ЗАО) была приготовлена ​​путем смешивания оксида алюминия с диоксидом циркония для получения изолирующего слоя с высокими характеристиками.В этом исследовании прекурсоры были приготовлены путем растворения пентагидрата нитрата циркония и нонагидрата нитрата алюминия. Пленки ZAO были изготовлены на подложках с использованием смешанных прекурсоров методом центрифугирования. Диэлектрические пленки анализировали с помощью дифракции рентгеновских лучей (XRD), отражательной способности рентгеновских лучей (XRR) и УФ-спектрометра. На основе этих результатов были изготовлены устройства металл-изолятор-металл (MIM) для измерения диэлектрической проницаемости и плотности тока утечки. Затем химический состав пленок ЗАО был исследован методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) и выявлены оптимизированные параметры пленок.Наконец, мы подготовили устройства IGZO-TFT с оптимальными диэлектрическими слоями ЗАО.

2. Деталь эксперимента

2.1. Синтез раствора прекурсора

Прекурсор 0,4 М циркония-алюминия-оксида (ЗАО) готовили путем растворения пентагидрата нитрата циркония (Zr(NO 3 ) 4 ·5H 2 O) и нонагидрата нитрата алюминия (AlNO 3 ) 3 ·9H 2 O) в 2-метоксиэтаноле (2-МОЭ). Молярные соотношения раствора предшественника ЗАО Zr:Al = 4:0, 3:1, 1:1, 1:3 и 0:4.Эти растворы энергично перемешивали в течение 24 часов, а затем выдерживали в условиях окружающей среды в течение 24 часов.

2.2. Изготовление пленки и характеристика

Поверхностное натяжение и вязкость измеряли с помощью Attension Theta Lite (TL200, Biolin Scientific, Гетеборг, Швеция). Термогравиметрическую дифференциальную сканирующую калориметрию (ТГ-ДСК) использовали для измерения теплового поведения раствора предшественника при скорости нагревания 10°C/мин от комнатной температуры до 600°C.

Подложки были обработаны УФ/озоном при 25 °C в течение 10 мин.Смешанный прекурсор соответственно наносили центрифугированием на стеклянную подложку со скоростью 5000 об/мин в течение 30 с и предварительно отжигали при 300, 400 и 500 °C в течение 10 мин. Процесс центрифугирования повторяли трижды перед отжигом в течение 2 ч при различных температурах (300, 400 и 500 °С), соответствующих температуре предварительного отжига. Проницаемость пленок ZAO исследовали с помощью спектрофотометра UV-VIS (UV-3600SHIMADZU, Киото, Япония). Толщину и плотность измеряли с помощью рентгеновской отражательной способности (XRR) (EMPYREAN, PANalytical, Almelo, Нидерланды), а морфологию поверхности пленки ZAO исследовали с помощью атомно-силовой микроскопии (АСМ) (BY3000, Being Nano-Instruments, Гуанчжоу, Китай).Для исследования химического состава тонких пленок ZAO был проведен анализ с помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS) (Thermo Fisher Scientific, Уолтем, Массачусетс, США) с пиком углерода 1s (284,8 эВ) в качестве эталона калибровки.

2.3. Изготовление устройства металл-изолятор-металл и его характеристика

В качестве нижнего электрода использовали оксид индия-олова (ITO) толщиной 150 нм, нанесенный методом напыления постоянным током (DC) на стеклянные подложки. Для измерения электрических характеристик пленок ZAO мы изготовили устройство MIM, состоящее из Al-электрода/пленок ZAO/подложек ITO.Пленки ZAO наносились методом центрифугирования на подложки из ITO, а круглый алюминиевый электрод толщиной 100 нм осаждался методом высокочастотного напыления через теневую металлическую маску. Вольт-амперные (ВАХ) и вольт-фарадные (C-V) характеристики конденсатора МИМ измеряли анализатором параметров Keithley4200 (Tektronix, Beaverton, OR, USA) в условиях окружающей среды.

2.4. Применение и определение характеристик тонкопленочных транзисторов

После нанесения методом центрифугирования пленок ZAO на подложки из ITO IGZO толщиной 10 нм осаждали импульсным напылением на постоянном токе при давлении 1 мТорр (O:Ar = 5%) и формировали теневая маска.Мишень IGZO состоит из атомного соотношения In:Ga:Zn:O = 1:1:1:4. Затем пленку IGZO отжигали при 300 °С в течение 1 часа. В конце на него наносились алюминиевые электроды исток/сток. Отношение W/L TFT составляло 1,38. Анализатор параметров полупроводников (Agilent4155C, Agilent, Санта-Клара, Калифорния, США) использовали в атмосфере окружающей среды для оценки электрических характеристик TFT.

3. Результаты и обсуждение

Измерение термогравиметрии-дифференциальной сканирующей калориметрии (ТГ-ДСК) было выполнено для измерения теплового поведения раствора прекурсора, и кривые показаны на рисунке 1.Кривые смешанного прекурсора с разными соотношениями подобны. Эндотермический пик наблюдается при температуре около 135 °С [31], что связано с испарением раствора, что соответствует потере массы на кривой ТГ. На рисунке 1а экзотермический пик, расположенный при температуре около 150 ° C, можно объяснить связью металла и кислорода, при которой образовалась сетчатая структура металл-оксид. Экзотермический пик, расположенный при 330–340 °С, можно отнести к кристаллизации диоксида циркония, но на рис. 1б пик кристаллизации на кривой ДСК отсутствует, так как температура кристаллизации оксида алюминия выше 600 °С.Были измерены поверхностное натяжение и вязкость прекурсоров, и результаты показаны на рисунке 1с. Видно, что по мере увеличения содержания алюминия вязкость и поверхностное натяжение возрастают все быстрее и быстрее, когда соотношение превышает 3:1. Известно, что подходящее поверхностное натяжение и вязкость обеспечивают более равномерное растекание, что приводит к более гладкой поверхности и улучшенным характеристикам диэлектрических слоев. Однако чрезмерная поверхностная энергия раствора может вызвать плохое пленкообразование [32,33].Из рисунка 1c видно, что поверхностное натяжение и вязкость прекурсоров являются чрезмерными, когда соотношение превышает 3:1. Поэтому подложки были обработаны УФ-излучением для оптимизации центрифугирования.

Мы установили температуру отжига 300, 400 и 500 °C, чтобы исследовать не только изменения свойств пленки до и после кристаллизации, но и влияние температуры на свойства пленки. Кроме того, для изучения пути взаимодействия диоксида циркония и оксида алюминия друг с другом при изменении соотношения смешивания мы наносили центрифугированием пленки с различными молярными соотношениями Zr:Al = 4:0, 3:1, 1:1, 1:3. и 0:4.Было проведено

измерения коэффициента отражения рентгеновских лучей (XRR) для измерения толщины и плотности пленок с различными соотношениями. Из рис. 2 видно, что толщины пленок с различным соотношением близки при 300 °С. При 400 и 500 °С меньшая толщина пленки чистого циркония может быть связана с кристаллизацией циркония [34]. Затем толщина увеличивается из-за более длинной связи Al-O, заменяющей связь Zr-O, и ингибирования плотных кристаллических структур. При соотношении Z:Al = 1:3 и 0:4 толщина уменьшается, возможно, из-за ухудшения пленкообразования, соответствующего росту поверхностного натяжения и вязкости.Результат плотности показывает, что больше органических остатков, оборванных связей и гидроксила было удалено при более высоких температурах отжига, поэтому пленки были более плотными и тонкими [35,36], что может привести к лучшим электрическим свойствам. Кроме того, исходя из приведенных выше результатов, мы предположили, что добавление оксида алюминия может разрушить плотную кристаллическую структуру, связанную с эффектом ингибирования кристаллизации, который будет обсуждаться как часть результатов рентгеновской дифракции (XRD). На рисунке 3b, в, пленки с соотношением Zr:Al = 4:0 имеют явные дифракционные пики, расположенные при 30.3°, что означает кристаллы циркония при 400 и 500 °C. Обычно аморфная фаза имеет преимущества перед кристаллической фазой в получении низкого тока утечки, поскольку кристаллизация облегчает формирование проводящего канала [37,38]. Как показывают рентгенограммы, в пленках ZAO наблюдаются аморфные фазы при 400 и 500 °C, что указывает на то, что добавление оксида алюминия может ингибировать кристаллизацию пленок выше температуры кристаллизации диоксида циркония, тем самым снижая плотность тока утечки пленок.На рис. 4a–c видно, что коэффициент пропускания всех пленок превышает 90 % в диапазоне длин волн видимого света. Таким образом, пленки ZAO подходят для изготовления прозрачных устройств. Оптическая ширина запрещенной зоны каждой пленки была рассчитана по соотношению Тауца [39] (1) на основе измерения коэффициента пропускания. Возьмем (αhν) 2 в качестве вертикальной оси и hν в качестве горизонтальной оси, чтобы сделать кривую, продолжим линейную часть, и пересечение с горизонтальной осью будет E g

(αhν) 2 = C(hν − E г )

(1)

где C — постоянная для прямого перехода, α — коэффициент поглощения, ν — частота падающего фотона; d — толщина пленки, T — коэффициент пропускания; λ — длина волны для коэффициента пропускания, а h — постоянная Планка (h = 4.13567 × 10 −15 эВ·с, c = 3 × 10 17 нм/с). Результаты расчета оптической ширины запрещенной зоны представлены на рис. 4d. Пленки с соотношением Zr:Al = 3:1 достигли оптической ширины запрещенной зоны (>4,8 эВ), сравнимой с пленками из чистого оксида алюминия, которая больше, чем у пленок из чистого диоксида циркония (от 4,1 до 4,4). Можно подтвердить, что оксид алюминия в смешанной пленке улучшает оптическую ширину запрещенной зоны пленок для получения более низкой плотности тока утечки. Этот результат, вероятно, связан с эффектом Бурштейна-Мосса из-за смешивания с Al.Уровень Ферми циркония будет находиться внутри зоны проводимости, когда он смешивается с Al. Следовательно, состояния в зоне проводимости частично заполнены, и край поглощения будет смещаться в сторону более высоких энергий [40, 41]. Рентгеновские фотоэлектронные спектры (РФЭС) использовались для уточнения химической структуры и состава пленок ЗАО с различные соотношения смешивания при 400 °C. Пик при 529,5 ± 0,5 эВ относится к связанному кислороду (M–O–M). Пик при ~532 эВ отнесен к связанному кислороду в дефектах решетки и гидроксиду (–ОН) [42].Содержание различных видов кислорода с различными соотношениями суммировано в таблице 1, а тенденция показана на рисунке 5f. Согласно информации о спектральном пике, показанной на рисунке 6, соотношения смешивания циркония и алюминия в различных образцах в основном соответствовали ожиданиям, и результаты показаны в таблице 2. Из-за более прочного сочетания циркония чистый цирконий содержит меньше кислорода. дефекты, чем у чистого оксида алюминия. Поскольку слабосвязанный кислород с алюминием заменяется прочно связанным кислородом с цирконием, образование гидроксидных и кислородных дефектов затруднено.По этой причине содержание кислорода, связанного с металлом, в пленках ZAO падает с увеличением содержания диоксида циркония. Однако, поскольку диоксид циркония будет кристаллизоваться при температуре ниже 400 °C, включение диоксида циркония способствует формированию низкотемпературной оксидной решетки оксида алюминия [43]. В результате добавление диоксида циркония привело бы к увеличению количества связанных атомов кислорода в пленках с соотношениями Zr:Al = 1:1 и 1:3.

На этой основе были изготовлены устройства металл-изолятор-металл (MIM), а затем мы охарактеризовали электрические свойства диэлектрика под затвором.

На рис. 7 видно, что пленки ZAO демонстрируют более высокие токи утечки, чем пленки из чистого диоксида циркония при температуре отжига 300 °C. Это противоположно при 400 ° C и 500 ° C, поскольку добавление оксида алюминия может снизить плотность тока утечки пленки, смешанной с ZAO, что согласуется с ингибированием кристаллизации и увеличением оптических запрещенных зон. По мере увеличения температуры отжига в диэлектрических слоях достигалась более низкая плотность тока утечки — за исключением пленок из чистого диоксида циркония — из-за кристаллизации.Поэтому, что касается пленок ZAO, лучшие характеристики могут быть достигнуты за счет повышения температуры отжига. Пленки чистого оксида алюминия показывают самый низкий ток утечки, но с более низкими относительными диэлектрическими постоянными, что обсуждается в результате относительных диэлектрических постоянных. Более того, установлено, что при 400 и 500 °С пленки с мольным соотношением Zr:Al = 3:1 имеют наименьший ток утечки (1,35·10 -6 и 2,5 · 10 -6 ). А/см 2 @ 1 МВ/см при 400 и 500 °С) среди пленок ЗАО из-за их большой толщины и оптической ширины запрещенной зоны.Значения емкости показаны в зависимости от напряжения на рис. 8a–c. Диэлектрические свойства пленок ЗАО с соотношением Zr:Al = 1:1 и 1:3 проявляют нестабильность по отношению к напряжению, что следует отнести к высокому содержанию связанного кислорода, так как поглощается большее количество воды [44]. Относительные диэлектрические постоянные рассчитывали на основе кривых C-V. Согласно относительным диэлектрическим постоянным, показанным в таблице 3, диэлектрические слои с соотношениями Zr:Al = 1:1 и 1:3 достигают максимальных относительных постоянных (41.с 1 по 292). Более высокие значения диэлектрической проницаемости в основном связаны с наличием большого количества дефектов (>30%), согласно результатам РФЭС, и дефекты создают больше носителей, таких как кислородные вакансии, в микроструктуре оксидов металлов, которые накапливают больше электрические заряды с двух сторон пограничных слоев [45]. Тем не менее, как следствие, получается относительно высокая плотность тока утечки (почти 10 −4 А/см 2 при 1 МВ/см), как показано на рис. 7a–c, что делает пленки несовместимыми с высокими эксплуатационными характеристиками. TFT.Поэтому мы сравнивали только диэлектрические проницаемости пленок чистого оксида металла с пленками ЗАО с соотношением Zr:Al = 3:1. На рисунке 8d показано, что пленки ZAO имеют более высокие относительные диэлектрические проницаемости, чем пленки из чистого оксида алюминия. При замене слабой связи Al-O (511 Дж/моль) [22] на сильную связь Zr-O (776,1 Дж/моль) образование кислородных дефектов затруднено. Относительно более высокие диэлектрические постоянные в основном связаны с меньшим количеством кислородных дефектов. При молярном соотношении Zr:Al = 3:1 диоксид циркония может уменьшить связанный кислород в пленке, что приводит к более высокой диэлектрической проницаемости, чем у пленок из чистого оксида алюминия.Более того, повышение температуры приводит к более высокой диэлектрической проницаемости по мере удаления большего количества дефектов. В результате только при молярном соотношении Zr:Al = 3:1 пленки могут одновременно иметь высокие диэлектрические проницаемости и относительно низкий ток утечки. Кроме того, мы выполнили АСМ-измерения пленок и сравнили шероховатость пленок при различных условиях приготовления, как показано в таблице 4. Было показано, что за исключением высокой шероховатости пленок чистого циркония из-за кристаллизации при 400 и 500 °C, другие пленки имеют шероховатость 0.от 1 до 0,3 нм, а пленки, отожженные при 400 и 500 °С с соотношением Zr:Al = 3:1, имели наиболее гладкую поверхность (Rs = 0,14 и 0,15 нм). АСМ-изображения пленок представлены на рис. 9. При низкой шероховатости пленки ровные и гладкие, поэтому пленки ЗАО хорошо сочетаются с другими частями устройства TFT. Таким образом, были приготовлены диэлектрические слои с соотношением Zr:Al = 3:1 при температурах отжига 400 и 500 °С, которые были нанесены на IGZO-TFT. Приготовленные TFT были испытаны при комнатной температуре на полупроводниковом анализаторе параметров. для получения выходных кривых и кривых передаточной характеристики.Подвижность насыщения и подпороговое колебание устройства на тонкопленочных транзисторах рассчитывались по уравнениям (2) и (3) [46]:

Ids=12WLµCi(Vgs-Vth)2

(4)

Результат показан на рисунке 10. Из рисунка 10 можно рассчитать, что подвижность составляет 4,23 см 90 180 2 90 181 /В·с в условиях отжига при 400 °C, подпороговое колебание составляет 0,11 В/дес, а отношение включения/выключения равно 2,2 × 10 6 . В условиях отжига 500 °С подвижность 14,89 см 2 /Вс, подпороговое качание 0.11 В/дек и коэффициент включения/выключения 6,1 × 10 6 . Более того, были изготовлены TFT-устройства с чистыми пленками диоксида циркония или оксида алюминия, а электрические свойства приведены в таблице 5 со сравнением чистых пленок и пленок ZAO. В результате устройства работают лучше при более высокой температуре отжига. Таким образом, ТПТ с пленками ЗАО (соотношение Zr:Al = 3:1), отожженными при 500 °С, обладал лучшими электрическими свойствами. Используя пленку, смешанную с ZAO, в качестве диэлектрического слоя, можно получить устройство с хорошими электрическими свойствами.

Диэлектрик из оксида циркония-алюминия с напылением и пиролизом High-k для высокоэффективных тонкопленочных транзисторов на основе оксида металла для маломощных дисплеев Высокопроизводительные металлооксидные тонкопленочные транзисторы для маломощных дисплеев

AU — Islamic, Md Mobaidul

AU — Saha, Jewel Kumer

AU — Hasan, Md Mehedi

AU — Kim, Junyeong

AU — Bukke Naik

AU — Ali, Arqum

AU — Jang, Jin

N1 — Информация о финансировании: Эта работа была поддержана грантом Национального исследовательского фонда Кореи (NRF), финансируемым правительством Кореи (MSIT) (No.2020M3h5A1A02084899). Авторское право издателя: © 2021 Wiley-VCH GmbH

PY — 2021/8/23

Y1 — 2021/8/23

N2 — Изолятор подзатвора (GI) из оксида циркония-алюминия (ZAO), с высоким коэффициентом k, с использованием недорогого Демонстрируется метод распылительного пиролиза для электроники большой площади и малой мощности. Высококачественный спрей-пиролиз ЗАО ГИ получают с последующим окислением экологически чистой обработкой плазмой Ar/O2. Анализы показывают, что только один цикл плазменной обработки Ar/O2 значительно улучшает тонкопленочные и диэлектрические свойства ZAO, демонстрируя улучшенную массовую плотность (4.16 г см-3), гладкая шероховатость поверхности (0,32 нм), низкая плотность тока утечки (2,26 × 10-6 А см-2), сильное электрическое поле пробоя (5,15 МВ см-1) и незначительная частотно-зависимая емкость. Безгистерезисные тонкопленочные транзисторы (ТПТ) на основе аморфного индия-галлия-цинка (a-IGZO) с ЗАО ГИ демонстрируют полевую подвижность 15,04 см2 В-1 с-1, пороговое напряжение 1,46 В, подпороговый размах 115 мВ дек-1, отношение ION/IOFF 7,54 × 108 и незначительное положительное напряжение смещения. Высоконадежные характеристики a-IGZO TFT достигаются за счет значительного уменьшения дефектов, связанных с кислородом, на границе раздела диэлектрик/полупроводник.Инвертор TFT и кольцевой генератор с одиннадцатью каскадами были продемонстрированы с TFT ZAO / a-IGZO, демонстрирующими высокий коэффициент усиления по напряжению 58, частоту генерации 2,43 МГц и задержку распространения сигнала 18,7 нс при напряжении питания 6 В, подтверждая преимущество пиролизного диэлектрика high-k ZAO для маломощных дисплеев.

AB — Продемонстрирован затворный изолятор (GI) из оксида циркония-алюминия (ZAO) с высоким значением k, использующий недорогой метод пиролиза распылением для электроники большой площади и малой мощности.Высококачественный спрей-пиролиз ЗАО ГИ получают с последующим окислением экологически чистой обработкой плазмой Ar/O2. Анализы показывают, что только один цикл плазменной обработки Ar/O2 значительно улучшает тонкопленочные и диэлектрические свойства ЗАО, демонстрируя улучшенную массовую плотность (4,16 г см-3), гладкую шероховатость поверхности (0,32 нм), низкую плотность тока утечки (2,26 × 10-6 А см-2), сильное электрическое поле пробоя (5,15 МВ см-1) и пренебрежимо малая емкость, зависящая от частоты. Безгистерезисные аморфные тонкопленочные транзисторы (ТПТ) на основе оксида индия-галлия-цинка (a-IGZO) с ЗАО ГИ демонстрируют полевую подвижность 15.04 см2 В-1 с-1, пороговое напряжение 1,46 В, подпороговый размах 115 мВ дек-1, отношение ION/IOFF 7,54 × 108 и незначительное положительное напряжение смещения. Высоконадежные характеристики a-IGZO TFT достигаются за счет значительного уменьшения дефектов, связанных с кислородом, на границе раздела диэлектрик/полупроводник. Инвертор TFT и кольцевой генератор с одиннадцатью каскадами были продемонстрированы с TFT ZAO / a-IGZO, демонстрирующими высокий коэффициент усиления по напряжению 58, частоту генерации 2,43 МГц и задержку распространения сигнала 18.7 нс при напряжении питания 6 В, что подтверждает преимущество пиролизного спрей-пиролиза high-k ZAO диэлектрика для маломощных дисплеев.

КВт — high-k диэлектрик

КВт — инвертор NMOS

КВт — кольцевой генератор

КВт — спрей-пиролиз

КВт — тонкопленочные транзисторы

КВт — цирконий-9002/оксид алюминия /www.scopus.com/inward/record.url?scp=85111407432&partnerID=8YFLogxK

U2 — 10.1002/admi.202100600

DO — 10.1002 / Admi.20210060000

м3 — Статья

AN — Scopus: 85111407432

VL — 8

Jo — Усовершенствованные материалы Интерфейсы

JF — Усовершенствованные материалы Интерфейсы

SN — 2196-7350

— 16

М1 — 2100600

ЭР —

О Самарской Оптико-Кабельной Компании

Самарская Оптико-Кабельная Компания (ОАО «СОКК») — закрытое акционерное общество, производитель телекоммуникационных волоконно-оптических кабелей.Компания зарегистрирована Государственной регистрационной палатой при Министерстве экономики Российской Федерации 17 апреля 1997 года.

Акционерами SOCC являются:

— Corning Incorporated, США — крупнейший в мире производитель оптического волокна,

— Самарская Кабельная Компания — крупнейший в России и СНГ производитель медных кабелей для телекоммуникаций.

Промышленный выпуск начался в мае 1998 года.

Самарская Оптико-Кабельная Компания производит все виды телекоммуникационных оптических кабелей для прокладки в трубах, коробах трубопроводов, внутри зданий, подземные кабели для всех типов грунтов, диэлектрические самонесущие кабели для энергосистем.Компания имеет сертификаты соответствия ГОСТам, выданные Министерством связи Российской Федерации. Все заказы выполняются успешно, без претензий, только положительные отзывы от клиентов. Компания ежегодно увеличивает объемы производства и продаж.

За восемнадцать лет работы на рынке телекоммуникаций компания поставила российским заказчикам более 150 000 км оптических кабелей различных типов. Среди ее клиентов крупные операторы связи – «РОСТЕЛЕКОМ», «МегаФон», МТС, энергопотребители РАО ЕЭС, нефтегазовые компании, альтернативные операторы.Все клиенты ценят высокое качество продукции SOCC и готовность специалистов компании выполнять самые сложные требования своих клиентов.

Система качества предприятия соответствует российским стандартам ГОСТ Р ИСО 9001-2011 и МС ИСО 9001-2011 и международным стандартам ИСО 9001-2000, IQNET ISO 9001-2000. Самарская Оптико-Кабельная Компания – первый российский производитель оптического кабеля, получивший этот международный сертификат.

В декабре 1999 года Минкомсвязи России объявило Самарскую оптико-кабельную компанию победителем конкурса качества среди производителей средств связи, СОСС получила специальную награду за высокое качество продукции, надежность предприятия.Система экологического менеджмента компании соответствует ГОСТ Р ИСО 14001-98.

Дважды (в 2003 и 2009 годах) СОСС был признан Лауреатом Государственной премии в области качества за значительные достижения в области качества выпускаемой продукции, внедрение высокоэффективных методов управления качеством.

ЗАО «Завод «Молдавизолит» ламинат

О НАС

    ЗАО «Завод «Молдавизолит» было основана в 1960 году и является производителем и дистрибьютором широкого ассортимента материалов:

— Ламинаты для производства печатных плат
— Ламинаты электроизоляционные техническая заявка
— Материалы гибкие композитные на основе полимерных пленок
— Материалы пропитанные (препреги)
— Трубы и стержни катаные и формованные
— и так далее.
Качество нашей продукции соответствует международным стандартам NEMALI 1, МПК 4101, МЭК 60893, МЭК 61212.
 

   Нашими основными заказчиками являются предприятия электронной, телевизионной, машиностроительной и приборостроительной, металлургической и электромашиностроительной промышленности и другие; связь, нефтегазовые и другие компании.


Материалы производятся на мощных заводах ведущих мировых компаний – «ВИТС», «SIEMPELKAMP» (Германия), «PAGNONI» (Италия), «CARATCH» (Швейцария), «Накаяма» (Япония).

   Система менеджмента качества научно-исследовательских разработок и производства электроизоляционных материалов и омедненных диэлектриков для печатных плат сертифицирована с 1998 года на соответствие требованиям международного стандарта ISO 9001 с аккредитацией ANSI-RAB (США) и DAR (Германия).

   Качество система менеджмента сертифицирована на соответствие требованиям международного стандарта ISO 9001:2008– Сертификат BVQI 226156 дд.27.11.2009.
Все материалы, выпускаемые на заводе, сертифицированы по показателю «безопасность» в системе сертификации — ГОСТ «Р» РФ.


Перспективные разработки ведутся в НТЦ. Это была создана в 1992 году на базе Тираспольского отделения Национальной НИИ электроизоляционных материалов (СССР) и центральный лаборатория на заводе.В настоящее время этот центр имеет следующие отделения:

Стеклопластики лабораторные;
— лаборатория бумажных ламинатов;
— лаборатория синтеза лаков и смол;
— лаборатория электрофизических испытаний;
— лаборатория физико-химических исследований;
— лаборатория ПХБ;
— лаборатория микроволновых гибких и нетрадиционных материалов;
— опытно-производственная зона.

   Работает отделы и лаборатории центра оснащены современным аналитическое и исследовательское оборудование, которое помогает проведение многочисленных физико-химических исследований. Персонал состоит квалифицированных ученых и инженеров, занимающихся новыми материалами разработка, включая материалы со специальными заказчиками требований, а также внедрять технологии материального производства непосредственно на оборудовании в производственном цехе.

 

Взятие с учетом интересов потребителей ЗАО «Завод «Молдавизолит» организовал Торговые дома в России и Украине в городах:
— Москва
— Белгород
— Екатеринбург
— Самара
— Одесса.
Мы поставляем нашу продукцию в страны дальнего зарубежья: Россию, Украину, Беларусь, Казахстан, США, Германия, Турция, Болгария, Румыния, Чехия, Латвия, Литва и другие страны.

 

Искать «hq-dielectrics+GmbH,+dornstadt»

Средняя заработная плата на одного работника

Базовый/уставный капитал

Наличные на руках

Стоимость материалов

Доход

Прибыль СГТР

Число работников

Беспристрастность

Коэффициент собственного капитала

Обязательства

Количество государственных средств в год

Патентов в год

Пенсионное обеспечение

Недвижимость

Дебиторская задолженность

Рентабельность собственного капитала

Рентабельность продаж

Доход

Среднегодовой темп роста дохода

Доход на одного сотрудника

Налоги

Налоговый коэффициент

Всего активов

Общее государственное финансирование в год

Товарных знаков в год

Заработная плата

Самая маленькая в мире батарея собирается как рулет

Продолжающаяся миниатюризация электроники требует постоянного переосмысления устройств, которые ее питают, и новый пример ученых из Технологического университета Хемница вывел эту технологию на крошечную новую территорию.Развернув то, что описывается как процесс самосборки, вдохновленный швейцарским рулетом, исследователи создали самую маленькую в мире батарею, которая, по их словам, может найти применение для питания небольших датчиков в человеческом теле, среди других приложений.

Революционное решение для хранения энергии было создано с помощью так называемого процесса Swiss-Roll, вдохновленного бисквитными цилиндрическими коржами, свернутыми с толстыми слоями джема внутри. Но вместо того, чтобы обратиться к сахару и муке, ученые наслаивали токосъемники и электродные полоски из полимерных, металлических и диэлектрических материалов на натянутую поверхность пластины.

При отслаивании этих отдельных слоев напряжение снимается, и материалы отскакивают, скручиваясь друг вокруг друга, приобретая ту же архитектуру, что и бисквитный рулет, создавая «микробатарею цилиндра с самозакручиванием». Это устройство меньше одного квадратного миллиметра в поперечнике и размером с пылинку с минимальной плотностью энергии 100 микроватт-часов на квадратный сантиметр.

Эти свойства делают батарею пригодной для возможной интеграции в крошечные чипы с электрическими цепями, которые, по мнению исследователей, могут принимать форму биосовместимых датчиков в человеческом теле.

Многие из этих типов датчиков основаны на методах сбора для выработки электроэнергии, например преобразования механических вибраций в энергию или улавливания тепла для той же цели. Но это не будет работать во всех сценариях, например, внутри человеческого тела. Ученые видят в своем типе перезаряжаемой микробатареи, которая, по их словам, может питать самые маленькие в мире компьютерные чипы в течение примерно 10 часов, как решение этой проблемы. Другие возможные области применения включают роботизированные системы и сверхгибкую электронику.

«Эта технология по-прежнему обладает огромным потенциалом оптимизации, и в будущем мы можем ожидать гораздо более мощных микробатарей», — сказал профессор Оливер Шмидт, руководивший исследованием.

Источник: Новый Атлас

Изображение: TU Chemnitz/Leibniz IFW Dresden

.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.